افزايش راندمان سلول خورشيدي CdTe/CdS با استفاده از لايه ي انباشت اکسيدSnO2 در مقايسه با لايه ي ZnO

افزايش راندمان سلول خورشيدي CdTe/CdS با استفاده از لايه ي انباشت اکسيدSnO2 در مقايسه با لايه ي ZnO

… دانلود …

افزايش راندمان سلول خورشيدي CdTe/CdS با استفاده از لايه ي انباشت اکسيدSnO2 در مقايسه با لايه ي ZnO دارای 11 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد افزايش راندمان سلول خورشيدي CdTe/CdS با استفاده از لايه ي انباشت اکسيدSnO2 در مقايسه با لايه ي ZnO کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ريختگي احتمالي در متون زير ،دليل ان کپي کردن اين مطالب از داخل فایل ورد مي باشد و در فايل اصلي افزايش راندمان سلول خورشيدي CdTe/CdS با استفاده از لايه ي انباشت اکسيدSnO2 در مقايسه با لايه ي ZnO،به هيچ وجه بهم ريختگي وجود ندارد


بخشی از متن افزايش راندمان سلول خورشيدي CdTe/CdS با استفاده از لايه ي انباشت اکسيدSnO2 در مقايسه با لايه ي ZnO :

سال انتشار : 1396

نام کنفرانس یا همایش : کنفرانس ملي پژوهش هاي نوين در برق، کامپيوتر و مهندسي پزشکي

تعداد صفحات : 11

چکیده مقاله:

ایجاد لایه ی اکسید انباشته ی SnO2 به عنوان بافر در سلول خورشیدی CdTe/CdS و همچنین مقایسه ی آن با لایه ی ZnO از جنبه های نو این پژوهش می باشد. جایگزینی لایه ی اکسید شفاف SnO2 با ضخامت 60 نانومتری و شبیه سازی در محیط نرم افزاری کامسول، به ولتاژی بهتر از دو حالت قبل یعنی 0/65 ولت در مقایسه با 0/46 ولت حاصل از به کارگیری لایه ی ZnO دست یافتیم.

نوشته شده در دسته‌بندی نشده توسط admin. افزودن پیوند یکتا به علاقمندی‌ها.